近日，小康集团的全资子公司赛力斯（SERES）宣布，其首款基于自主封装碳化硅（SiC）器件的逆变器成功通过电驱动系统联合测试。这标志着赛力斯成为国内首家、全球唯二同时掌握基于单管并联以及自研模块的第三代宽禁带功率半导体（碳化硅）逆变器设计能力的企业。  

赛力斯通过深度合作，积极整合了多家业界领先的半导体厂商的优势，仅用3年时间，就完成了IGBT到碳化硅器件的跨代升级，用更成熟的设计和更低的价格迎接碳化硅逆变器市场。相较于传统功率器件（IGBT）的逆变器，碳化硅逆变器在整个运行区间均带来显著的效率提升。轻载效率（转速低于2000rpm，扭矩低于100 Nm）由65%提升至92%，峰值效率达到99%。

赛力斯电驱动系统电力电子高级总监聂中博士表示：“此次开发的200kW碳化硅逆变器，证明赛力斯始终位于电动汽车技术的最前沿。利用现有的架构，产品线可以提供基于TO-247封装单管、半桥功率模块或者全桥功率模块的各种规格的碳化硅逆变器”。

编辑点评：

目前，赛力斯已开发完成了400V和800V两个电压平台的碳化硅逆变器。其中400V的碳化硅逆变器可替代现有SF5采用的400V IGBT逆变器；800V的碳化硅逆变器可以用于未来更高电压平台的车型。